[发明专利]一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法有效
| 申请号： | 202210463712.1 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114735707B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 罗大伟;高子杰;邓佳宝;荣科 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 成都禾创知家知识产权代理有限公司 51284 | 代理人： | 裴娟 |
| 地址： | 610051 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法，属于高纯硅生产领域。本发明采用无机氯化锌作为除杂媒介，在高温下迅速分解为锌离子和氯离子，在与硅熔体接触的过程中杂质磷、硼会与锌离子和氯离子发生反应生成低熔点和高熔点的化合物，低熔点的化合物在硅炉外精炼的高温下挥发逸出工业硅熔体，而高熔点的化合物随着硅凝固后偏析与晶界处，破碎后采用酸洗除去，或者下沉到硅熔体最底部，当硅熔体凝固后，通过切除硅锭底部位置的沉积层除去。本发明方法操作简单，能耗低，只需加入氯化锌一种物质一次性即可除去硅中的磷、硼，且不引入新的杂质，加入的除杂媒介氯化锌来源广泛，成本低，除磷、硼后的硅符合太阳级硅对杂质含量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精炼 去除 工业 硅熔体中磷 杂质 方法 | ||
【主权项】：
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