[发明专利]用于制备电容器电极的铟掺杂钴-MOF衍生物及生产方法有效
| 申请号： | 202210463107.4 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114805834B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朱江;魏可心;杨子漪;王文文;郑懿馨;才畅;高珊珊 | 申请（专利权）人： | 辽宁师范大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;H01G11/30 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于制备电容器电极的铟掺杂钴‑MOF衍生物，是在钴‑MOF衍生物结构中掺杂有金属铟，所述钴离子与铟离子的摩尔比为5‑12：1。可以形成半导体异质结构，在异质半导体相邻界面形成空间电荷区，构成二度空间特性，减小内阻使电子的迁移率变大，从而增加电解质的扩散速率，比容量、阻抗、能量密度值等均表现良好，循环稳定性高，为法拉第反应中消耗的电子提供能量，有效地提高单一过渡金属氧化物的电化学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 电容器 电极 掺杂 mof 衍生物 生产 方法 | ||
【主权项】：
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