[发明专利]铜互连结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210457966.2 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114783946A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 薛兴坤;李新磊;王鹏飞;韩岩岩;于卫国 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/50;C23C28/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在层间膜中形成凹槽；步骤二、形成阻挡层，包括分步骤：步骤21、采用PVD工艺进行预沉积形成第一TaN子层；预沉积将负偏压能量调低到不会对凹槽侧面的层间膜材料产生损伤，使凹槽的形貌得到保持；步骤22、采用PVD工艺进行主沉积形成第二TaN子层；主沉积的负偏压能量大于预沉积的负偏压能量，由第一和第二TaN子层叠加形成阻挡层；步骤三、形成粘附层；步骤四、形成铜籽晶层；步骤五、电镀铜层。本发明能防止阻挡层的沉积工艺对层间膜产生损伤，从而能改善阻挡层沉积后凹槽的形貌，从而能形成连续的铜籽晶层，提高铜层填充质量。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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