[发明专利]单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法在审
| 申请号： | 202210457950.1 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114875480A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 高崇;赵鹏;何敬晖;倪代秦;周振翔;陈建荣;黄存新;刘世权 | 申请（专利权）人： | 中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 何家鹏;丁芸 |
| 地址： | 100018*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量；保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场的稳定性，从而提高生长晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 及其 加热 保温 系统 生长 氧化 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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