[发明专利]沟槽形成方法在审
| 申请号： | 202210456499.1 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115911066A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 臧辉 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及沟槽形成方法。提供了在半导体衬底中形成不同深度的沟槽结构的方法。在所述半导体衬底上提供形成第一开口及第二开口的第一掩模。通过所述第一开口及所述第二开口对所述半导体衬底进行蚀刻，由此形成第一沟槽及第二沟槽。将沟槽结构材料沉积在所述第一沟槽及所述第二沟槽中，由此形成第一沟槽结构及第二沟槽结构。在所述第一掩模上提供第二掩模，其中所述第二掩模覆盖所述第一开口且具有叠加在所述第一掩模的所述第二开口之上的第三开口。通过所述第一掩模的所述第二开口及通过所述第二掩模的所述第三开口对所述第二沟槽结构进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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