[发明专利]一种介电结构的制备方法、介电结构在审
| 申请号： | 202210451165.5 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114914291A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种介电结构的制备方法、介电结构，通过采用第二半导体层作为保护层，对其与衬底之间的第二半导体层进行氧化处理形成介电层，并在第二半导体层的位置形成具有角度的接触金属层，从而提升金属半导体接触部分的金属边缘的半导体反向电场，达到提高功率器件的反向耐压和可靠度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天狼芯半导体（成都）有限公司，未经天狼芯半导体（成都）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210451165.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
