[发明专利]LED外延结构及其制备方法在审
申请号: | 202210451043.6 | 申请日: | 2022-04-26 |
公开(公告)号: | CN114864769A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 谢岚驰;李森林;毕京锋;薛龙;王亚宏;赖玉财;廖寅生 | 申请(专利权)人: | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/30 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 361012 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层,所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层,且所述应变缓冲层为(Al |
||
搜索关键词: | led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,未经厦门士兰明镓化合物半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210451043.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。