[发明专利]LED外延结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210451043.6 申请日: 2022-04-26
公开(公告)号: CN114864769A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 谢岚驰;李森林;毕京锋;薛龙;王亚宏;赖玉财;廖寅生 申请(专利权)人: 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/30
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 沈宗晶
地址: 361012 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层,所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层,且所述应变缓冲层为(AlxGa1‑x)0.5In0.5P、GaP和(AlyGa1‑y)0.5In0.5P组成的结构层,其中0.10≤x≤0.50,0.05≤y≤0.10。本发明通过生长应变缓冲层可以提高外延结构的晶体质量,进而降低LED器件的工作电压,提高其发光效率。
搜索关键词: led 外延 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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