[发明专利]p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210444639.3 | 申请日： | 2022-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114934257A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 宋立媛;唐利斌;郝群;王静宇;吕浩;何文瑾;李艳辉;俞见云;齐浩泽;王海澎;覃钢;辛永刚;庄继胜 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/54;H01L31/0272;H01L31/0392;B82Y15/00;B82Y25/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明制备方法简单、有效、低能耗，成膜均匀、连续，所得薄膜与基底的粘附性好，并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 snte 纳米 薄膜 光电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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