[发明专利]一种等离子体电子密度测量装置在审
申请号: | 202210442832.3 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114867178A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 魏学朝;解家兴;刘海庆;张际波;揭银先 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H05H1/00 | 分类号: | H05H1/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 陈旭红 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体电子密度测量装置,包括第一太赫兹固体源、第二太赫兹固体源、干涉仪光路等器件;干涉仪光路用于将第一固体源产生的光束输出至第一探测器;其还用于将第一固体源产生的光束输出至第二探测器;干涉仪光路用于将第二固体源产生的光束输出至第一探测器;其还用于将第二固体源产生的光束输出至经过等离子体的角反射镜,以使第二探测器接收由角反射镜返回的光束;第一探测器和第二探测器用于得到合束信号,以供装置根据合束信号计算等离子体电子密度。本发明实施例提供的等离子体电子密度测量装置布局紧凑,使用光学器件较少,无需使用大型支架,便于在大型等离子体实验装置上设计及安装,运行稳定,运行维护成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 电子密度 测量 装置 | ||
【主权项】:
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