[发明专利]一种等离子体电子密度测量装置

权利要求书

1.一种等离子体电子密度测量装置，其特征在于，包括第一太赫兹固体源、第二太赫兹固体源、干涉仪光路、等离子体、角反射镜、第一探测器和第二探测器；

所述第一太赫兹固体源的光信号发送端与所述干涉仪光路连接，所述干涉仪光路用于将所述第一太赫兹固体源产生的光束输出至所述第一探测器；所述干涉仪光路还用于将所述第一太赫兹固体源产生的光束输出至所述第二探测器；

所述第二太赫兹固体源的光信号发送端与所述干涉仪光路连接，所述干涉仪光路用于将所述第二太赫兹固体源产生的光束输出至所述第一探测器；所述干涉仪光路还用于将所述第二太赫兹固体源产生的光束输出至经过所述等离子体的所述角反射镜，以使所述第二探测器接收由所述角反射镜返回的光束；

所述第一探测器和所述第二探测器用于对各自接收到光束进行合束得到合束信号，以供所述等离子体电子密度测量装置根据所述合束信号计算等离子体电子密度。

2.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述干涉仪光路包括第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、第一分光片、第二分光片、第三分光片、第四分光片、第五分光片、第一平面反射镜、第二平面反射镜、望远镜光路、45度角反射镜；

所述第一太赫兹固体源的光信号发送端依次通过所述第一聚焦透镜、所述第一分光片和所述第二分光片与所述第一探测器的接收端连接；所述第一太赫兹固体源的光信号发送端依次所述第一聚焦透镜、所述第一分光片、所述第二平面反射镜和所述第五分光片与所述第二探测器的接收端连接；

所述第二太赫兹固体源的光信号发送端依次通过所述第二聚焦透镜、所述第三分光片、所述第一平面反射镜、所述望远镜光路、所述45度角反射镜、所述第四分光片和所述等离子体与所述角反射镜的接收端连接，所述角反射镜的光信号返回端依次通过所述等离子体、所述第四分光片、所述第五分光片与所述第二探测器的接收端连接；所述第二太赫兹固体源的光信号发送端依次通过所述第二聚焦透镜、所述第三分光片和所述第二分光片与所述第一探测器的接收端连接。

3.如权利要求2所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述望远镜光路包括凸反光镜和凹反光镜；

所述第一平面反射镜将接收的光束依次通过所述凸反光镜和所述凹反光镜，发送至所述45度角反射镜。

4.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述第一太赫兹固体源为变频340GHz固体源，所述第二太赫兹固体源为定频340GHz固体源。

5.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述第一探测器和所述第二探测器均为AlGaN/GaN-HEMT场效应管探测器。

6.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述等离子体电子密度测量装置还包括法兰支架，所述法兰支架上设有套筒，所述套筒内设有所述角反射镜，所述套筒开设有对准所述角反射镜的开口，所述开口在所述法兰支架上水平/垂直可调。

7.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述角反射镜为铝制镀金材质。

8.如权利要求1所述的等离子体电子密度测量装置，其特征在于，所述等离子体电子密度测量装置还包括光学平台；

所述第一太赫兹固体源、所述第二太赫兹固体源、所述干涉仪光路、所述第一探测器和所述第二探测器均设于所述光学平台上。