[发明专利]晶片吸盘气膜和晶片下片方法在审
| 申请号： | 202210442522.1 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114975216A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 郭志田;瞿治军;夏金伟;王泽飞;奚达 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及晶片吸盘和晶片吸盘下片方法。晶片吸盘气膜包括柔性隔膜，柔性隔膜的正面形成吸附腔，吸附腔包括边缘区和中心区；柔性隔膜包括对应边缘区的边缘气压调节区，和对应中心区的中心气压调节区；柔性隔膜的背面对应边缘气压调节区位置处形成边缘气压调节槽，对应中心气压调节区位置处形成中气压调节槽。方法包括以下步骤提供吸附腔的开口吸附有晶片的柔性隔膜；向边缘气压调节槽中通入负压气体，使得边缘气压调节区位置处的柔性隔膜形变上翘，使得吸附腔的边缘区与晶片分离，空气进入吸附腔；向中心气压调节槽中通入正压气体，使得中心气压调节区位置处的柔性隔膜形变下弹挤压中心区位置处的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 吸盘 下片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
