[发明专利]巨自旋霍尔角金属-氧化铪复合薄膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210433929.8 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN115411179A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 孟皓;迟克群;金立川;唐晓莉 申请(专利权)人: 浙江驰拓科技有限公司
主分类号: H01L43/10 分类号: H01L43/10;H01L43/14;H01L43/06;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 轩勇丽
地址: 311300 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了巨自旋霍尔角金属‑氧化铪复合薄膜材料及其制备方法,涉及自旋电子新材料领域,为解决现有材料无法满足获得更强自旋霍尔效应的材料的问题。复合薄膜材料为生长于基片表面的金属‑氧化铪复合薄膜,金属‑氧化铪复合薄膜的组分为R(100‑x)‑(HfO2)(x),R为金属元素Pt、W、Ta、Bi或其合金中任一种,x的取值范围为1~10,制备方法为:S1、选择R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合靶材作为溅射靶材;S2、将步骤S1中的R(100‑x)‑(HfO2)(x)靶材装在磁控溅射设备腔体靶位;S3、采用基片作为基底,清洗基片,用氮气吹干,保证基片表面洁净;S4、将步骤S3清洗后的基片放入磁控溅射设备中生长R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合薄膜,本方法操作简单、成本低,可广泛应用。
搜索关键词: 自旋 霍尔 金属 氧化 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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