[发明专利]超结MOS管的背金生产智能流转方法及系统有效
| 申请号： | 202210428049.1 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114724961B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 朱金伟;赵志 | 申请（专利权）人： | 上海晶岳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海塔科专利代理事务所(普通合伙) 31380 | 代理人： | 谢安军 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种超结MOS管的背金生产智能流转方法及系统，包括获取当前生产线已处理MOS管数量，生成各当前超结MOS管背金生产线的实时生产曲线图，获取当前固定工作人员数量，生成第一预设数量的当前生产效率衡量数据；获取所述当前超结MOS管背金生产线上在当前时刻之后的第二预设特定时间段内的人员变动数量；生成当前背金生产线供料流转调整数据，并基于所述当前背金生产线供料流转调整数据生成智能供料流转指令，并将所述智能供料流转指令发送至生产线供货机器人，所述智能供料流转指令用于控制生产线供货机器人按照所述当前背金生产线供料流转调整数据对当前超结MOS管背金生产线进行供货。本发明实现高智能流转效率和准确率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 生产 智能 流转 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶岳电子有限公司，未经上海晶岳电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210428049.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
