[发明专利]一种半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202210415672.3 申请日: 2022-04-20
公开(公告)号: CN114825049A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 阚钦 申请(专利权)人: 安徽格恩半导体有限公司
主分类号: H01S5/343 分类号: H01S5/343;H01S5/20
代理公司: 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 代理人: 戴丽伟
地址: 237161 安徽省六安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及半导体光电器件的技术领域,特别是涉及一种半导体激光器,具有限制因子增强结构;上波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InxGa1‑xN/InyGa1‑yN,下波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InzGa1‑zN/InaGa1‑aN,有源层为InbGa1‑bN/IncAldGa1‑c‑dN,上波导层、下波导层和有源层的In组分形成In组分梯度:a<x<y≤z<b;改善有源区的载流子分布反转,使有源区的受激辐射在上波导层和下波导层多次反馈形成震荡;In组分梯度还提升有源层的激子结合能和振子强度,提升有源层载流子的限制效应,降低上波导层和下波导层的折射率色散。
搜索关键词: 一种 半导体激光器
【主权项】:
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