[发明专利]总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法在审
| 申请号： | 202210408396.8 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114755550A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 余学峰;蒲晓娟;冯皓楠;魏莹;冯婕;李豫东;郭旗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL‑STD‑750/3472标准测量器件开关时间的参数，通过计算机对辐照前后测试得到的晶体管开关响应进行比对，生成辐照引起开关响应的退化差值，再设定合理的预值，如果退化差值大于预值则会根据实验积累的数据快速判断器件开关响应的异常情况。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 剂量 电离辐射 碳化硅 垂直 扩散 晶体管 开关 响应 异常 变化 测试 方法 | ||
【主权项】：
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