[发明专利]一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置在审
| 申请号： | 202210407355.7 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114523220A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;耿文浩;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53;B23K26/70 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶圆片制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；将激光聚焦在所述碳化硅晶锭内部的预定深度处从所述碳化硅晶锭的边缘开始向内进行扫描形成非晶层的同时采用大于非晶层表面两侧的单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中向碳化硅晶锭提供正恒电位对非晶层进行刻蚀，快速实现单晶层的剥离，得到碳化硅晶圆片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅晶圆片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶圆片 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
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