[发明专利]一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种顶栅底接触器件结构，从上而下依次包括栅极层‑绝缘层‑半导体层‑源漏电极层和基底层，所述半导体层的材质为有机聚合物，所述有机聚合物的单体中碳碳双键的不饱和度≥8；所述绝缘层和所述半导体层为一体结构；所述半导体的表层经氘气退火工艺处理得到所述绝缘层。采用了本发明的技术方案，无需重新选择材料再单独制备绝缘层，而是通过氘气退火，利用氘气在半导体层表面进行加成反应，使表层的半导体层转化为绝缘材料，直接在半导体层的表层形成绝缘层，减少了绝缘层的加工工艺步骤，从根本上解决了绝缘材料和半导体材料选择的难题。