[发明专利]基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法在审
| 申请号： | 202210399486.5 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114708895A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张粮;童祎;肖建 | 申请（专利权）人： | 山西职业技术学院 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 张宁馨 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法，每个忆阻器单元包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2；所述编码Cod、忆阻器m和电阻R依次串联，编码Cod另一端连接地址寄存器Cod_address_reg，输入脉冲信号Vs通过地址寄存器Cod_address_reg连接编码Cod；电阻R另一端连接外部脉冲信号Vd；外部脉冲信号Vd与电阻R间还设有接地的MOS管T4；二极管VD1正极连接于忆阻器m和电阻R之间，负极连接电压跟随器的输入端；二极管VD2正极与n位地址选择器输出的位信号相连，负极连接至编码Cod和忆阻器m之间；本发明根据不同阶段需求，通过调整MOS管T4可以实现正反双向编码、擦除及读取，解决了传统读取电路端口资源浪费的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 阵列 字多态 可编程 存储 电路 使用方法 | ||
【主权项】：
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