[发明专利]晶闸管在审
| 申请号： | 202210399259.2 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114759084A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;孙科阳;王喆垚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/745;H01L29/749 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶闸管。该晶闸管包括半导体衬底、栅绝缘层、主栅极和第一侧栅极。该半导体衬底包括主表面，且主表面包括相邻设置的具有不同掺杂类型的第一区和第二区，第一区包括与第二区具有第一间隔的第三区，第二区包括与第一区具有第二间隔的第四区，第一间隔与第二间隔形成晶闸管的沟道区；栅绝缘层设置在主表面上；主栅极设置在栅绝缘层上，并且在垂直于主表面的方向上至少部分地对应于沟道区设置；第一侧栅极与主栅极彼此绝缘地且相邻地设置在栅绝缘层上。该晶闸管通过侧栅极结构增强了对沟道区载流子的控制能力，从而能够快速开启和关断。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210399259.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
