[发明专利]氮化镓肖特基二极管在审
| 申请号： | 202210393546.2 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114864656A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘丹 | 申请（专利权）人： | 晶通半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层以及设置在所述缓冲层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的肖特基接触层、第一欧姆接触层；所述第一欧姆接触层上制备阴极，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干离子注入区域，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述离子注入区域之间形成肖特基接触，在所述离子注入区域与所述肖特基接触层接触面制备阳极。使用图案化离子注入区域，以分配反向电场实现高阻断电压和低泄漏电流，在保持高开关速度、低动态损耗、低导通损耗、高输出功率密度的同时，实现高阻断电压、低泄漏电流，结构简单且易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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