[发明专利]一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202210386075.2 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114702328B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王红洁;杨宇航;庄磊;卢德;苏磊;牛敏;彭康 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/84;C04B35/628;C04B38/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法，以SiC纳米线气凝胶所提供的三维网络结构为骨架及增强体，能够确保SiC纳米线能在陶瓷基体中的均匀分布，通过基体与增强相间界面层的构筑，进一步优化了多孔陶瓷的强/韧力学性能，并且该工艺对设备要求低，制备效率高，能够制备形状和气孔率可控的多孔SiC陶瓷材料，易于实现工业规模化生产。经本发明方法制得的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，可实现对多孔陶瓷在微纳多尺度的增韧，适合用于高温隔热、航空航天、生物医疗和能源化工等诸多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 网络 增强 层状 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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