[发明专利]一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将SiC纳米线气凝胶通过热压处理，制得具有层状结构的SiC纳米线网络；所用SiC纳米线气凝胶具有由SiC纳米线构建的三维网络微观结构，密度为2~50mg/cm³，直径为20~500nm，组成相为β-SiC；热压处理是在1000~1500℃下，8~20MPa的压力下，保温处理0.5~3h；

2）对具有层状结构的SiC纳米线网络进行界面修饰处理，沉积获得界面层；获得的界面层为热解碳界面层、SiC界面层或氮化硼界面层，界面层的厚度为30~150nm；

3）使用陶瓷前驱体为原料，对经过步骤2）处理的沉积有界面层的层状结构的SiC纳米线网络进行若干次真空浸渍-交联固化-高温裂解处理，制得SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷；

陶瓷前驱体采用液态超支化聚碳硅烷；真空浸渍处理是在真空压力容器中，将液态超支化聚碳硅烷浸渗入沉积有界面层的层状SiC纳米线网络中，抽真空浸渍2-4h；交联固化处理是在惰性气氛下，于80℃~200℃，处理1~5h；高温裂解处理是在800℃~1500℃下，处理1~4h。

2.根据权利要求1所述的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1）制得的具有层状结构的SiC纳米线网络由平行排列的SiC纳米线层组成，密度为200~1000mg/cm³；SiC纳米线层是由SiC纳米线相互搭接所构成的网络。

3.根据权利要求1所述的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3）中，真空浸渍-交联固化-高温裂解次数为1~5次。

4.采用权利要求1~3中任意一项所述的制备方法制得的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，其特征在于，该SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷由层状SiC纳米线网络、界面层和SiC陶瓷基体组成。

5. 根据权利要求4所述的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，其特征在于，该SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷的密度为0.9~1.8 g/cm³，孔隙率为43%~72%，SiC纳米线的体积分数为6%~31%。

6. 根据权利要求4所述的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，其特征在于，该SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷的弯曲强度为40~210 MPa，压缩强度为30~220 MPa。