[发明专利]一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置在审
| 申请号： | 202210381021.7 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN115188881A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;王紫崴;赵雪峰;王迪;刘龙;林淮;张昊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 马苗苗 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置，其中，基于磁隧道结的神经元器件包括：合成反铁磁结构层，所述合成反铁磁结构的第一侧设置有底电极；势垒层，设置在所述合成反铁磁结构层的第二侧；铁磁自由层，设置在所述势垒层上远离所述底电极的一侧；顶电极，设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧；第一边界反铁磁钉扎层和第二边界反铁磁钉扎层，均设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧，并且分别位于所述顶电极的两侧；本发明的基于磁隧道结的神经元器件可通过调整合成反铁磁结构层更好的控制产生杂散场的强度，实现泄露速度的调节，保证高可靠性的自泄露功能，有利于微缩和集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隧道 神经 元器件 神经网络 装置 | ||
【主权项】：
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