[发明专利]一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件在审
| 申请号： | 202210380955.9 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114759093A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;卢丽;郑贵强;余仲轩;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
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