[发明专利]一种同型异质结复合沟道TFT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210379433.7 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114759095A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 朱政;黄晓明;郭宇锋;曹伟;黄晨阳;陈辰 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 周湛湛 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同型异质结复合沟道TFT器件及其制备方法，所述TFT器件结构根据栅电极层所在位置不同，分为底栅结构TFT器件和顶栅结构TFT器件。本发明专利针对非晶IGZO材料及沟道界面处高密度氧空位相关缺陷态所造成的TFT器件电流携载能力下降与可靠性退化等关键问题，创新性地采用nN型a‑IGZO:N/ITO:N同型异质结沟道结构设计与氮掺杂的方法，以有效抑制缺陷的俘获效应，实现TFT器件高性能与高可靠性应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型异质结 复合 沟道 tft 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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