[发明专利]一种磁存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202210366451.1 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116940211A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郑枝源;彭泰彦;杨宇新;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 马天琪 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种磁存储器的制造方法，对磁隧穿结叠层进行刻蚀至金属层，对自由层和固定层的侧壁以及金属层进行氧化或氮化，得到保护层，对保护层和氧化层的侧壁进行刻蚀，以去除氧化层侧壁的污染物。在刻蚀去除氧化层侧壁的污染物时，利用保护层保护自由层和固定层的侧壁，自由层和固定层的刻蚀残渣不会附着在氧化层上，同时也能刻蚀去除氧化层侧壁的污染物，并且金属层被保护层覆盖，会首先刻蚀保护层，对金属层的刻蚀量较低，避免在刻蚀去除氧化层侧壁的污染物时，对金属层的较大损伤甚至刻穿金属层的情况，既能够实现刻蚀去除氧化层侧壁的污染物，提高器件的性能和良率，又能够避免金属层被过度刻蚀，进一步提高器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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