[发明专利]显示装置及制造方法在审
申请号: | 202210346786.7 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN114695425A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 井口胜次;小野刚史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/00;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 能够以低缺陷且高成品率的方式制造显示装置。显示装置的集成电路芯片包含驱动发光单元(31)的驱动电路(70),驱动电路(70)具备连接到发光单元(31)的阳极电极的P侧电极(46)、和控制向P侧电极(46)的电流供给的非易失性存储晶体管(78)。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的