[发明专利]一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置在审
| 申请号： | 202210343293.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114864468A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 吴海;任泽生;王利芹;王露寒;程壹涛;刘成群;吴爱华;赵英伟;王峻澎 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域，公开了一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法、装置和刻蚀装置，用于降低刻蚀工艺掉片率的装置包括通气控制器和陶瓷遮挡盘；通气控制器一端用于连接进气管道，另一端用于连接刻蚀设备的通气管路，陶瓷遮挡盘设置于刻蚀设备的下电极基座上；通气控制器用于在刻蚀完成后，向刻蚀设备内通入气体，使晶圆片浮起和下落，以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应；陶瓷遮挡盘用于限制晶圆片浮起过程中晶圆片的移动范围。本发明提供的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，通过陶瓷遮挡盘和通气控制器的共同使用，消除了刻蚀工艺完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应，解决了现有刻蚀工艺中晶圆片掉片率高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 刻蚀 工艺 掉片率 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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