[发明专利]套刻精度补偿方法在审
| 申请号： | 202210336650.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114675503A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 姜冒泉;李玉华;金乐群;费志平;黄玥程 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种套刻精度补偿方法，包括：将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘；根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进行对位建模补偿；对所述图形区域分别进行对位、曝光；对晶圆表面区域进行显影；对晶圆表面区域进行套刻精度量测。本申请通过针对晶圆上的不同图形区域分别进行对位，同时选择不同的补偿模式对各图形区域进行对位建模补偿，改善了晶圆的边缘区域的套刻精度，提高了晶圆边缘区域的良率，从而改善了晶圆表面区域的整体套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 精度 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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