[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202210335631.3 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114496924B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周丹玫;胡万春;王松 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法中铜沉积包括凹槽底部的沉积步骤、凹槽的填充步骤以至少填满第一凹槽以及平面沉积步骤，且凹槽的填充步骤与凹槽底部的沉积步骤相比，加速剂的浓度降低，抑制剂的浓度升高。本发明开始进行凹槽底部的沉积步骤时先利用加速剂快速完成凹槽底部的铜沉积，后续进行凹槽的填充步骤时，加速剂的浓度降低，抑制剂的浓度升高，以降低凹槽的填充速度，避免凹槽迅速填充导致过电镀的问题，可以减小凹槽填满后表面的凸起高度，后续进行沉积步骤，进一步降低不同区域的电镀铜厚度差异，从而改善化学机械研磨出现的铜残留和铜蝶形缺陷，提高产品的可靠性，延长产品的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
