[发明专利]一种提高银纳米立方纯度的方法在审
| 申请号： | 202210332003.X | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114799196A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊铭;林爽;刘雨奇;关浩玉;董斌 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于贵金属纳米材料领域，公开了一种提高银纳米立方纯度的方法。现有技术制备大尺寸的银纳米立方会出现大量独立成核的银纳米线杂质，这些杂质会严重影响银纳米立方作为SERS基底的均一性。针对这一问题，本发明提出了一种操作简便、成本低且可大批量处理的提纯方法。该方法首先利用种子生长法制备大批量银纳米立方。然后将制成的银纳米立方使用合适孔径和层数的滤膜进行过滤，这样银纳米立方可以通过滤膜，而银纳米线杂质由于长度较大就会附着在滤膜上，以此便能获取高纯度的银纳米立方。这种灵活和简便的抽滤提纯方法为提高银纳米立方的纯度开辟了一条新途径，高纯度的银纳米立方在电子、医疗、生物和食品安全等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 立方 纯度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族大学，未经大连民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210332003.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风管机线控器温湿度补偿方法
- 下一篇：一种中央空调控制方法及中央空调
