[发明专利]用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法有效
| 申请号： | 202210329619.1 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114606409B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 殷华强 | 申请（专利权）人： | 江苏恒盈电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/02 | 分类号： | C22C9/02;C22C1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 | 代理人： | 仲红敏 |
| 地址： | 214443 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，具体涉及集成电路封装技术领域，包括以下原料：铁、磷、铬、钒、镍、铈、锡、镁、铍，余量为铜和不可避免的杂质。本发明通过在铜合金中加入锡元素，由于锡原子与铜原子半径相差较大，能够增加高温过程中材料内部位错滑移、攀移、重组的阻力，从而能够延缓回复再结晶过程，能够有效提高引线框架的再结晶温度，从而提高引线框架的耐热性能，铈易于在晶界处或晶界附近偏聚，对晶界的迁移产生阻碍作用，从而提高材料的动态再结晶激活能，可以抑制动态再结晶的进行，锡能够与铈、铁等元素相互作用形成Ce |
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| 搜索关键词： | 用于 信号 放大器 耐热 半导体 引线 框架 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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