[发明专利]用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法

权利要求书

1.用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：包括以下重量百分比的原料：铁0.25-0.65%、磷0.005-0.015%、铬0.5-1.5%、钒0.1-0.6%、镍0.3-0.6%、铈0.1-0.5%、锡1.2-2.6%、镁0.2-0.6%、铍0.2-0.6%，余量为铜和不可避免的杂质；

所述用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的制备方法，具体制备步骤如下：

步骤一：按照上述重量百分比称取各原料，将称取的原料投入到真空非自耗电极电弧熔炼炉内进行熔炼，向真空非自耗电极电弧熔炼炉内充入氩气至压强为40-46KPa，将真空非自耗电极电弧熔炼炉内部的温度升高至1350-1420℃，得到液态合金液；

步骤二：将步骤一中的液态合金液取样测量各元素的百分含量，使得液态合金液中各元素配比准确后将液态合金液浇注于模具中，然后冷却至室温得到合金铸锭；

步骤三：将步骤二中得到的合金铸锭放入热处理炉中进行均质化处理，均质化处理完成后将合金铸锭加热至900-960℃进行热轧，终轧温度控制在720-750℃，终轧后进行在线喷淋淬火，热轧后除去表面的氧化皮后进行冷轧变形；

步骤四：将步骤三中冷轧变形后的合金铸锭置于钟罩炉进行初次时效处理，初次时效处理后直接放入气垫炉内再次进行时效处理；

步骤五：将步骤四中两次时效处理完成的产品进行精轧处理，精轧处理完成后去应力退火得到用于信号放大器的耐热型半导体引线框架。

2.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：包括以下重量百分比的原料：铁0.35-0.55%、磷0.008-0.012%、铬0.8-1.2%、钒0.3-0.4%、镍0.4-0.5%、铈0.2-0.4%、锡1.7-2.1%、镁0.3-0.5%、铍0.3-0.5%，余量为铜和不可避免的杂质。

3.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：包括以下重量百分比的原料：铁0.45%、磷0.01%、铬1%、钒0.35%、镍0.45%、铈0.3%、锡1.9%、镁0.4%、铍0.4%，余量为铜和不可避免的杂质。

4.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：所述步骤二中模具浇注前先对模具进行预热处理，预热时间为80-90℃，预热时间为10-15min，预热完成后对模具表面喷涂脱模剂。

5.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：所述步骤三中均质化处理时温度为750-780℃，时间为2-4h，所述步骤三中热轧时间为15-20min，轧制速率控制在0.1～1s^-1，热轧变形量为50-65%，所述步骤三中冷轧轧制速率控制在0.1～1s^-1，热轧变形量为62-68%。

6.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：所述步骤四中初次时效处理时钟罩炉内部的温度为550-600℃，处理时间为2-3h，再次时效处理时气垫炉内部的温度为450-500℃，处理时间为2-3h。

7.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，其特征在于：所述步骤五中精轧处理时控制变形量为40-50%，所述步骤五中去应力退火时温度为480-530℃，保温时间为30-60s。