[发明专利]用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法

说明书

本发明公开了用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，具体涉及集成电路封装技术领域，包括以下原料：铁、磷、铬、钒、镍、铈、锡、镁、铍，余量为铜和不可避免的杂质。本发明通过在铜合金中加入锡元素，由于锡原子与铜原子半径相差较大，能够增加高温过程中材料内部位错滑移、攀移、重组的阻力，从而能够延缓回复再结晶过程，能够有效提高引线框架的再结晶温度，从而提高引线框架的耐热性能，铈易于在晶界处或晶界附近偏聚，对晶界的迁移产生阻碍作用，从而提高材料的动态再结晶激活能，可以抑制动态再结晶的进行，锡能够与铈、铁等元素相互作用形成Ce₂Fe₁₇、Ce₅Sn₃化合物，能够解决锡弱化晶界引起的热裂问题，提高引线框架的稳定性。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，更具体地说，本发明涉及用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法。

背景技术

随着无线通信技术的快速发展，无线网络已经成为人们生活中不可或缺的一部分，为了增强无线网络信号的强度，目前多采用信号放大器来实现，例如，用于对wifi信号进行增强的wifi信号放大器。而信号放大器在使用过程中需要使用集成电路对设备进行控制。而集成电路是由IC芯片和引线框架经封装而成。引线框架起到了支撑芯片、连接外部电路以及在工作时散热等作用。随着大规模、超大规模集成电路的不断发展，对于引线框架的导电性能、力学性能、抗软化性能等的要求也越来越高。

随着微电子工业的不断发展，智能家居、穿戴设备的推陈出新，以及高性能计算机更迭日趋加快，现代电子行业不仅对集成电路的线路优化、制程工艺有较高要求，作为集成电路封装不可或缺的引线框架材料，因其承担着固定芯片、信息输出和电路散热等多重任务，在信号放大器半导体引线框架使用过程中，由于引线框架的耐热性能不足，引线框架常常发生软化现象，导致集成电路的使用寿命降低。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法，本发明所要解决的问题是：如何提高用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的耐热性能，提高用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的使用寿命。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，包括以下重量百分比的原料：铁0.25-0.65%、磷0.005-0.015%、铬0.5-1.5%、钒0.1-0.6%、镍0.3-0.6%、铈0.1-0.5%、锡1.2-2.6%、镁0.2-0.6%、铍0.2-0.6%，余量为铜和不可避免的杂质。

在一个优选的实施方式中，包括以下重量百分比的原料：铁0.35-0.55%、磷0.008-0.012%、铬0.8-1.2%、钒0.3-0.4%、镍0.4-0.5%、铈0.2-0.4%、锡1.7-2.1%、镁0.3-0.5%、铍0.3-0.5%，余量为铜和不可避免的杂质。

在一个优选的实施方式中，包括以下重量百分比的原料：铁0.45%、磷0.01%、铬1%、钒0.35%、镍0.45%、铈0.3%、锡1.9%、镁0.4%、铍0.4%，余量为铜和不可避免的杂质。

用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的制备方法，具体制备步骤如下：

步骤一：按照上述重量百分比称取各原料，将称取的原料投入到真空非自耗电极电弧熔炼炉内进行熔炼，向真空非自耗电极电弧熔炼炉内充入氩气至压强为40-46KPa，将真空非自耗电极电弧熔炼炉内部的温度升高至1350-1420℃，得到液态合金液；

步骤二：将步骤一中的液态合金液取样测量各元素的百分含量，使得液态合金液中各元素配比准确后将液态合金液浇注于模具中，然后冷却至室温得到合金铸锭；

步骤三：将步骤二中得到的合金铸锭放入热处理炉中进行均质化处理，均质化处理完成后将合金铸锭加热至900-960℃进行热轧，终轧温度控制在720-750℃，终轧后进行在线喷淋淬火，热轧后除去表面的氧化皮后进行冷轧变形；