[发明专利]一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法在审
| 申请号： | 202210322732.7 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114959907A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴剑波;倪荣萍;张虞;李胜雨;吴冰 | 申请（专利权）人： | 苏州南智芯材科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 215536 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，通过将还原性单质材料、碳酸锂粉、植物纤维或植物淀粉与水进行机械球磨混合，得复合还原剂，将复合还原剂以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片正反两面，烘干处理后，将晶片交替层叠放置于容器中，将容器转入热处理炉中，对热处理炉进行抽真空处理，调节热处理炉内温度，在氮气氛围下，调节热处炉内压强，对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理，通过前述技术方案，可控制备出还原程度不同的黄黑片/灰片，有效避免晶片破裂，并提高晶片的还原均匀性，同时避免晶片黑化处理过程中产生副产物，提高晶片质量、生产效率及导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 铌酸锂 钽酸锂 晶片 导电 性能 处理 办法 | ||
【主权项】：
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