[发明专利]一种MOS电容及电子设备在审
| 申请号： | 202210319270.3 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114927579A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 姜俊敏;姜一帆;黄欣然;刘寻 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 洪铭福 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS电容及电子设备，属于电容技术领域。本发明的MOS电容包括P型衬底、形成于P型衬底中的深N阱、形成于深N‑阱中的第一N+扩散区、形成于深N‑阱中的P‑阱、形成于P‑阱中的第一P+扩散区，第一N+扩散区与预设的第一电阻的第一端连接，第一电阻的第二端与第一偏置电压相连，第一P+扩散区与预设的第二电阻的第一端连接，第二电阻的第二端与第二偏置电压相连，用于通过将深N‑阱与第一偏置电压相连、将P‑阱与第二偏置电压相连以降低MOS电容的等效寄生电容。这种MOS电容能够使得MOS电容的极板与地之间的寄生电容等效为三个电容串联，从而减小了寄生电容的等效电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 电容 电子设备 | ||
【主权项】：
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