[发明专利]太鼓环减薄方法在审
| 申请号： | 202210302216.8 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114695106A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄威 | 申请（专利权）人： | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 祁春倪 |
| 地址： | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种太鼓环减薄方法，步骤包括：在晶圆上涂上一层光刻胶或硬掩膜；区分出晶圆主区域和晶圆无效区域；刻蚀晶圆主区域，保留晶圆无效区域，将两个区域分为不通厚度区域；在晶圆主区域镀上氧化层，刻蚀晶圆主区域；检查刻蚀后的晶圆主区域厚度，如果厚度不满足超薄片标准，重复步骤四、步骤五直到厚度超薄片标准。本发明可以增加晶圆减薄后的支撑效果，达到更高的减薄效果，减小了晶圆损伤层以及晶圆的应力对后续工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 太鼓环减薄 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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