[发明专利]参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202210291961.7 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114388321B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陶卓;朱红波 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/304;H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备。其中参数获取装置包括：挡板、法拉第杯和电流检测装置，所述挡板包括狭缝；所述挡板设于产生离子束流的离子束源和所述法拉第杯之间，被配置为在垂直于所述法拉第杯的高度方向移动，并阻挡所述离子束流，所述狭缝用于通过部分所述离子束流；所述法拉第杯被配置为在接收所述离子束流时产生电流；所述电流检测装置被配置为检测所述法拉第杯的电流大小，所述电流大小用于表征所述法拉第杯对应的电流密度。本申请能够快速准确地获取法拉第杯对应的电流密度，从而获取相关工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 参数 获取 装置 方法 离子 注入 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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