[发明专利]一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管在审
| 申请号： | 202210290824.1 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114613858A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 朱顺威;贾护军;张云帆;王欢;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 | 代理人： | 章冬霞 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底的上方为超结，P型衬底的右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N重掺杂区，漏N重掺杂区使漏电极与N型缓冲层和包含超结P柱和超结N柱的超结形成欧姆接触，P型衬底的左上方为P型重掺杂区，P型重掺杂区右侧形成P阱，在P阱中形成源N型重掺杂区，源电极、栅电极和漏电极分布在整个器件的上表面。本发明通过使衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除衬底辅助耗尽效应的不利影响，提升器件的导通特性，提高器件击穿电压，同时也能有效地减弱从超结流向衬底的泄漏电流，且能使器件更接近理想超结的理论极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 完全 消除 衬底 辅助 耗尽 效应 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210290824.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
