[发明专利]一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯薄膜介电性能的方法在审
| 申请号： | 202210285167.1 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114702771A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 林家齐;左宇航;刘欣美;杨文龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/24;C08K9/04;C08J5/18 |
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| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 酰氯类小 分子 优化 钽铌酸钾 聚偏氟 乙烯 薄膜 性能 方法 | ||
【主权项】：
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