[发明专利]一种d15在审

专利信息
申请号: 202210276198.0 申请日: 2022-03-21
公开(公告)号: CN114665006A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 耿文平;丑修建;魏慧芬;毕开西;穆继亮;何剑;侯晓娟 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H01L41/316 分类号: H01L41/316;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56;H01L41/113;H01L41/187
代理公司: 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 代理人: 管士涛
地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 本申请提供了一种d15模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法,通过将底电极/二氧化硅层/硅基底与铌酸锂晶片进行键合,再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗,得到铌酸锂单晶薄膜;在晶圆表面采用磁控溅射、离子束刻蚀剥离工艺制备对准标记及表面电极,接着采用离子束刻蚀法刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化,采用反应离子刻蚀法刻蚀二氧化硅层使其图形化,随后采用离子束刻蚀法刻蚀底电极使其图形化,最后采用深硅刻蚀工艺从硅基底正面制备悬臂梁与质量块并从其背部完成器件的释放。本申请能够将铁电单晶铌酸锂薄膜与硅片很好键合,并在此基础上采用标准的MEMS工艺制备传感器件,工艺可行性和重复率高,制得的器件具有宽频带及很高的输出电压。
搜索关键词: 一种 base sub 15
【主权项】:
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