[发明专利]一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统在审
| 申请号： | 202210274669.4 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114724939A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓峰;潘岭峰;黄永忠 | 申请（专利权）人： | 成都莱普科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 陈仕超 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统，涉及激光退火技术领域，用于解决现有技术中因同一个激光光斑直接照射半导体器件表面出现的问题。根据半导体器件不同区域对激光退火的不同要求，具体说来，有的区域希望增强反射避免激光损伤，有的区域希望增加吸收。首先大面积淀积一层低折射率材料，而后图形化制备一层高折射率材料，二者光学厚度均为激光波长的四分之一，组合实现增强反射效果，其它区域为增强吸收效果。通过所述激光退火系统对采用本发明的半导体器件表面进行激光退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体器件 激光 退火 效果 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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