[发明专利]一种聚合物晶体管沟道界面评估方法在审

专利信息
申请号: 202210268941.8 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114646856A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 孙华斌;李润;丁彪彪;胡艳雨;徐勇;陈子龙;于志浩;吴洁 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 张玉红
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种聚合物晶体管沟道界面评估方法,基于总载流子浓度、自由载流子浓度和沟道界面陷阱密度的三项参数,通过与标样的对比来评估聚合物晶体管沟道界面的好坏,有助于更好地分析器件性能,为评价薄膜晶体管的结构、制备工艺、有源层和栅绝缘层材料等对器件电学性能的影响提供了理论指导,进一步地为后续搭建评估聚合物晶体管界面分析模型提供参考。
搜索关键词: 一种 聚合物 晶体管 沟道 界面 评估 方法
【主权项】:
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