[发明专利]一种聚合物晶体管沟道界面评估方法

权利要求书

1.一种聚合物晶体管沟道界面评估方法，其特征在于：所述评估方法包括如下具体步骤：

步骤1，通过准静态的方法提取沟道界面态密度，包括总载流子浓度P_tot和自由载流子浓度P_free；

步骤2，通过电荷泵浦法提取沟道界面陷阱密度D_it；

步骤3，基于以上参数与标样的对比来评估聚合物晶体管沟道界面，通过自由载流子浓度与总载流子浓度的比值、界面陷阱密度与总载流子浓度分析界面的电荷输运性能。

2.根据权利要求1所述的一种有机聚合物晶体管的沟道界面评估方法，其特征在于：步骤1中，通过公式(1)计算得到MOS管的总载流子浓度P_tot：

其中，C_i是栅氧化层电容，q是单位电荷量，ε_s是半导体层介电常数，V_FB是平带电压，是表面势，V_GS是栅极电压。

3.根据权利要求1所述的一种有机聚合物晶体管的沟道界面评估方法，其特征在于：步骤1中，通过公式(2)计算得到MOS管半导体层中自由载流子浓度P_free：

其中，P_HOMO是有机半导体层的有效状态态密度，E_HOMO是半导体的HOMO能级，E_F0是平衡费米能级，k是玻尔兹曼常数，T是温度。

4.根据权利要求1所述的一种有机聚合物晶体管的沟道界面评估方法，其特征在于：步骤2中，通过公式(3)计算得到界面陷阱密度D_it：

其中，q为单位电荷量，k为玻尔兹曼常数，A_G为栅极面积，f为脉冲频率，T为温度，E_T为从导带底端测量到的界面陷阱能量，E_C为导带能级，τ_e为从界面陷阱发射电子的时间常数，I_cp是电荷泵浦法所测得的电流，t_step是脉冲时间。

5.根据权利要求1所述的一种有机聚合物晶体管的沟道界面评估方法，其特征在于：步骤3中，自由载流子浓度与总载流子浓度的比值越大代表参与电荷输运的载流子越多，即器件的沟道界面更好；界面陷阱密度与总载流子浓度的比值表示在总载流子中的界面陷阱态，越小表示界面陷阱所占比例越少，界面性能更好。