[发明专利]一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器有效
| 申请号： | 202210257216.0 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114335329B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 | 申请（专利权）人： | 波平方科技（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤指一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器，至少包括半导体存取晶体管、垂直磁化的磁性隧道结和互连导线结构，所述磁性隧道结包括垂直磁化的磁性固定层，垂直磁化的磁性自由层，以及位于磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层；所述磁性自由层由垂直磁化的人工反铁磁结构组成，包含垂直磁化的第一磁性自由层，垂直磁化的第二磁性自由层，以及位于第一磁性自由层和第二磁性自由层之间的耦合层；所述半导体存取晶体管和磁性隧道结组成存储单元，磁性隧道结的高低电阻态代表所存储的数据；磁性隧道结的自由层包含垂直磁化的人工反铁磁结构。本发明能够增强磁性随机存储器的抗磁场干扰能力，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 磁场 干扰 能力 磁性 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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