[发明专利]一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置有效
| 申请号： | 202210244788.5 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114318551B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李佳君;王蓉;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 腐蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
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