[发明专利]GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202210230849.2 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114784096A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘明远;郑英奎;康玄武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L29/45;H01L29/778;H01L21/263;H01L21/28;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管的最顶层为氮化物层，本发明通过对该氮化物层表面进行等离子体处理，在其内部形成了氮空位，进而形成了重掺杂，从而降低了GaN基衬底与欧姆金属电极之间的欧姆接触电阻。本发明还涉及一种欧姆金属电极及其制备方法，该欧姆金属电极具有Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au层结构，能够增大Ti和Al的接触面积，Al在各层起到催化作用，使Ni与势垒层的反应更加充分，从而能够显著降低欧姆接触电阻。此外，本发明还涉及一种半导体结构及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁移率 晶体管 欧姆 金属电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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