[发明专利]一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202210222190.6 | 申请日: | 2022-03-09 |
公开(公告)号: | CN114664967A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 孙浩航;陈占国;刘晓航;张文博;陈曦;赵纪红;侯丽新;刘秀环;高延军 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法,属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器,自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成,其中嵌入式MSM电极结构层为叉指电极结构。本发明将MSM电极嵌入在六方氮化硼层内,并且在电极上方再覆盖一层六方氮化硼包层,相当于增大了曝光面积,可以最大程度增加光生载流子的收集范围;而六方氮化硼层内的载流子迁移率远高于层间迁移率,因而这种嵌入式MSM结构有利于提高器件的响应度和响应速度;同时电极嵌入在六方氮化硼薄膜中,也可以防止电极的脱落与沾污,从而保证器件的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 msm 结构 氮化 深紫 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210222190.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于物理层安全的能量收集型无人机通信方法
- 下一篇:一种高压注射器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的