[发明专利]一种纯无机铅卤钙钛矿吸收层及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及半导体材料技术领域，公开涉及一种纯无机铅卤钙钛矿的X射线探测器及其制备方法和应用，制备方法包括将涂有SnO2中间层的导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至100～300℃和550～660℃，通入载气，保温20～40min，在SnO2中间层上形成钙钛矿膜，得到所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层。该吸收层中钙钛矿层形貌良好，平整性高，稳定性好，制备的器件X射线灵敏度高，同时具有较好的稳定性和很低的暗电流，适用于X射线探测及成像应用。