[发明专利]基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器在审
| 申请号： | 202210207867.9 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114567263A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 闫伟;黄飞 | 申请（专利权）人： | 优镓科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所 51219 | 代理人： | 张芳 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器，包括第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管为氮化镓HEMT，第二晶体管为砷化镓HBT，第一晶体管的源极与第二晶体管的集电极连接，第一晶体管的栅极施加栅极偏置电压，漏极接有电源；第二晶体管的基极施加基极偏置电压，其发射极接地。本发明利用氮化镓HEMT和砷化镓HBT两种异质晶体管堆叠，利用晶体管堆叠的分压特性，可以提高氮化镓晶体管的栅极电压，从而消除负压。整体晶体管的开启阈值由砷化镓HBT决定，阈值电压较为稳定，同时堆叠晶体管会比单独晶体管提高约3dB的增益，使得整体氮化镓放大器具有更高的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 堆叠 结构 混合 功率放大器 | ||
【主权项】：
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